晶体管前世

1947 年肖克利发明的晶体管，属于双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor)。此外，晶体管还有另外一个分支，叫场效应管(Field effect Transistor-FET)，场效应管又分为结型场效应管（Junction Field Effect Transistor-JFET，1952 年诞生）和应用更为广泛的金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET，1960 年诞生）组成。
双极型晶体管分为 NPN 管和 PNP 管。 N（ Negative（负））指 N 型半导体：在 4 价的硅材料中掺杂少量 5 价元素如砷、磷等，形成 N 型掺杂半导体。 P（Positive（正）），指 P 型半导体：在 4 价的硅材料中掺杂少量的 3 价元素如硼等，形成 P 型掺杂半导体。

一、三极管的日常生活

我们在模电教材里面，会有各种放大电路，共基，共集，共射等，相关的计算公式，曲线，电路等效模型天花乱坠，学起来非常费劲。

实际90%工作，可能我们只需要关注一个参数就行了，那就是电流放大倍数β，其它的通通用不到，而且我们做产品，如果真要放大信号，那也是使用各种集成运放。

绝大多数情况，我们是把三极管当作一个低成本的开关来使用的，作为开关，虽然MOS可能更为合适，不过三极管价格更低，在小电流场景，三极管反而是用得更多的。

一个NPN三极管，价格也就几分钱左右。

二、三极管常见电路

1.电平反向（NPN为例）

这个电路用得非常多，有两个功能。

一是信号反相，就是输入高电平，输出就是低电平；输入低电平，输出就是高电平

二是改变输出信号的电压，比如输入的电压范围是0V或者是3.3V，想要得到一个输出是0V或者是5V的电平怎么办呢？让Vcc接5V就可以了，输出高的时候，out的电平就是大约为5V的。

2. 驱动MOS开关

三极管作为开关使用时，主要处于‌截止‌和‌饱和‌两种状态：
截止状态
当基极-发射极电压（V_{BE}）低于导通阈值（约0.7V）时，三极管相当于断开状态，集电极-发射极间呈现高阻抗，无电流通过。 ‌
饱和状态
当基极电流足够大时，集电极电流达到最大值，集电极-发射极电压接近零（V_{CE}≈0），此时三极管相当于闭合状态。 ‌
（放大状态
介于截止和饱和之间的线性区域（放大区）不用于开关应用，主要用于信号放大。） ‌

在in为低时，三极管不导通，相当于是开路，PMOS管的Vgs为0，PMOS管也不导通，Vcc2没有电。

在in为高时，三极管导通，集电极相当于是接地GND，于是PMOS管的Vgs为-Vcc1，PMOS管导通，也就是Vcc1与Vcc2之间导通，Vcc2有电。

可以看到，以上三种电路，其实都一样，就是三极管是用作开关的，要不工作在饱和区（导通），要不工作在截止区（不导通），总之就是不能工作在放大区。这个比较容易理解，如果工作在放大区，那么Vce的电压就很难确定了，这会导致当你想要高低电平的时候，结果得到一个中间态。

所以，最重要的就是要保证管子的工作状态是ok的，也就是说我们要选好电路中的电阻阻值。